RLE-SA04 红外热像与热辐射测量综合实验 

实验简介

红外热像技术已经在电力系统、土木工程、汽车、冶金、石化、医疗等诸多行业得到广泛应用。本实验系统紧扣教学核心知识点，并结合工程实际应用，通过光电转换、信号处理等手段，检测目标物体辐射与温度分部之间的对应联系，并将之转换为图像信息，从而直观的实现目标物辐射测量。旨在让学生理解并掌握热辐射的基本定律，以及红外成像的工作原理和测量方法，是光电相关专业理想的教学实验系统。

实验内容

1、黑体辐射特性研究实验；
2、验证维恩位移定律；
3、热发射率影响因素研究实验；
4、热发散率的测量。

知识点

普朗克辐射定律、斯特潘-波尔兹曼定律、维恩位移、光学系统调制函数、温度分辨率、最小可分辨温差、光电转换。

选配设备参数

计算机（基本配置）。

主要设备参数

　　1.黑体标准源：

　　工作温度： 0~50℃，传感器： Pt100铂电阻，控温方式： PID，电源电压：220V，温度范围：室温-60℃，分辨率： 0.1℃，发射率： >0.97，升温时间：100℃≤30分钟。

　　2.红外热像仪：

　　探测器类型：光读出非制冷焦平面，分辨率： 80×60，波长范围： 7.5~14um，视场角： 41°×31°，热灵敏度(NETD)： <0.1℃，调焦方式：免调焦，最大帧频： 9Hz，测温范围： -10℃～+150℃，精度： ±2℃或±2%，取较大值，辐射率校正： 0.1至1.0可调，背景温度校正;根据输入环境温度自动校正;工作温度： -10℃～+50℃，存储温度： -20℃～+60℃，湿度：相对湿度≦85%(非冷凝);触摸屏：热图像：可见光图像： MSX多波段动态成像;图库。

　　3.电路修复装置：

　　发热异常探测与修复，发热异常温度： 30℃~60℃。

　　4.发热待测装置：

　　驱动电压40V，发热面积： 16cm2，设置温度范围：室温~60℃，最高可达400℃。

　　5.滤光器：

　　HR@380nm~780nm， AR@7μm~14μm; AR@380nm~780nm， HR@7μm~14μm。

　　6.精密光学导轨：

　　L×W=600mm×90mm，配套滑块，调节支座、支杆。

　　7.实验手册及保修卡。